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詳細產品訊息

1

超高溫石墨化爐

High Temperature Graphite Furnace

操作溫度(Operating temperature ) : ~3000℃

產品用途(Application):

  1. 3C產品高溫散熱片、電磁波屏敝、均熱片、鋰電池填充材

  2. 3C consumable graphite sheet, EMI shielding sheet,  Li battery filler

 

2

旋窯式連續式爐

Continuous Thermal Process Furnace with Tunnel Type

操作溫度(Operating temperature ) : ~900℃

Application : Si Material Sintering

System Size: (approx.) 8M L x 3M W x 3M H

 

3

小型推板式連續爐

Small Production Furnace with Plate Loading

操作溫度(Operating temperature ) : ~800℃

Application : Carbon Material Sintering

System size: (approx.) 3M L x 1M W x 2M H

 

4

粉末燒結爐

Powder Sintering Furnace

操作溫度(Operating temperature ) : ~900℃

 

粉末處理量 : 1000 公斤/批/台

產品應用 (Application) :

  1. BN Powder 

  2. AlN x Powder

  3. AlO x Powder

  4. SiO x Powder

設備規格(Specification):

  1. 佔地面積 (Layout) : 7M L* 5M W * 7M H

  2. Rotation in/output

  3. 夾波進出料 U/UL by tray

 

5

實驗用高溫爐

Lab Type High Temp Furnace

操作溫度(Operating temperature ) : 2500℃

適合任何陶瓷,複合,高溫材料等的新材料開發,材料特性對各溫度實驗製程氣氛的條件所提供實驗性使用.

設備規格(Specification):

  1. 機台尺寸: 1700mmL; 700mmW; 2200mmH

  2. 室內有效體積: Φ70mm;120mmH

  3. 機台為上下雙腔體.

    • 上腔體為加熱室; 下腔體為

    • 試料進出及冷卻功能之用.

  4. 傳動升降機構.

  5. 具冷卻製程調整功能.

 
 

6

高溫爐

High Temperature Furnace

操作溫度(Operating temperature ) : 2300℃

 

加熱場可使用電阻式或感應式

產品用途(Application ):

  1. SiC 粉 (SiC powders)

  2. 石英晶體 (quartz ingot)

  3. 太陽能晶體 (PV crystal ingot)

  4. 石墨及活性炭 (graphite sintering)

7

金屬真空熔煉爐

Vacuum Casting Furnace

操作溫度(Operating Temperature ) : ~900℃

真空度 (Operating Pressure) : <10-2 torr

 

Optional : Heat Resistance or Inductance type.

產品 (Product):

  1. 鎳基,鐵基等高溫合金單晶,單方向晶及等軸晶生長。

應用 (Application):

  1. Aerospace material industry

  2. Biotech Ti alloy material

  3. Advance tec. alloy material

鎳基合金單方向晶 

Nickel-based superalloy DS

 

8

氧化物晶體生長爐

Oxide Crystal Growth Furnace

操作溫度(Operating temperature ) : 2000℃ ~ 2400℃

加熱場可使用電阻式或感應式

產品用途(Product use ):

  1. Sapphire Crystal

  2. LN Ingot

  3. LT Ingot

  4. SiC

 

9

半導體單晶爐

Semi Single Crystal Growth Furnace

操作溫度(Operating temperature ) : 1400℃ ~1600℃

產品用途(Application):

  1. 4~8”solar crystal 及 Semi single crystal